Gesicherte Interpretationen der FTIR-Reflexionsspektren von SiC–CVD-Schichten durch Spektrensimulation
-
Wulf Grählert
und
Volkmar Hopfe
Abstract
Anhand des Schichtsystems SiC auf Graphit, hergestellt durch ein Chemical-vapour-deposition (CVD) Verfahren, wurde die Anwendung der Fourier-Transform-Infrarot (FTIR)-Reflexionsspektroskopie als zerstörungsfreie Methode zur Probencharakterisierung demonstriert. Dabei zeigte sich, dass neben den in der Probe enthaltenen Materialien die Topologie des Schichtsystems maßgeblich die Reflexionsspektren beeinflusst und eine herkömmliche Spektreninterpretation sogar unmöglich macht. Spektrensimulationen auf Basis eines die Probe adäquat beschreibenden optischenModells ermöglichen es, aus den gemessenen Reflexionsspektren Informationen über Schichtzusammensetzung und Probenaufbau zu gewinnen. Dabei wurde die Interface-Rauheit im optischen Modell durch Effektiv-Medien-Modelle beschrieben.
Abstract
Infrared reflection spectroscopy as non-destructive characterization method has been applied for the interpretation of SiC coatings deposited by chemical vapour deposition (CVD). Additional spectral features caused by sample topology make worse a conventional interpretation of the reflectance spectra. Simulation calculations using an adequate optical model allow the separation of the absorption properties of coating and the topology of the sample. Thereby, the surface roughness of SiC coatings have been considered in the optical model using an effective media approximation.
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© 2001 Carl Hanser Verlag, München
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