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Chemische Gasphasenabscheidung von SiC und SiC + Si auf Kohlenstoffsubstraten und ihre chemische Oberflächenmodifizierung

  • Günter Marx EMAIL logo , Jens Neuhäuser , Klaus Nestler , Gerd Treffer , Hermann Plänitz und Wolfgang Wagner
Veröffentlicht/Copyright: 13. Januar 2022
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Abstract

Es werden systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliziumcarbid und Siliziumcarbid mit koabgeschiedenem Silizium auf Kohlenstoffsubstraten vorgestellt. Die Abscheidung erfolgt mittels thermischer CVD (chemical vapor deposition) in einer CH3SiCl3 –H2 –Ar-Atmosphäre. Dabei können neue Zusammenhänge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern abgeleitet werden. In einem zweiten Schritt wird das koabgeschiedene Silizium durch eine thermische Nitridierung in Siliziumnitrid umgewandelt. Dabei reagiert auch die Siliziumcarbidschicht zu Siliziumnitrid. Über den Umweg des Titan-Ein-baus in das SiC(Si)-System – bei Beschichtungstemperatur bilden sich Titaniumsilizide – wird eine Mischschicht angeboten, die das koabgeschiedene Silizium selektiv in Siliziumnitrid umwandelt.

Abstract

In this work, systematical investigations about deposition of silicon carbide and silicon carbide with co-deposited silicon on carbon substrates are represented. The deposition is performed by thermal CVD in a CH3SiCl3–H2 –Ar atmosphere. From this, new coherences could be derived between layer characteristics (like chemical composition and structure) and deposition parameters. In a second step, co-deposited silicon, by using thermal nitridation, can be converted into silicon nitride. By this reaction, also the silicon carbide layer reacts to silicon nitride. In the roundabout way of titanium incorporation into the SiC(Si) system titanium silicides were formed at deposition temperature – a mixed layer can be offered, converting selectively the co-deposited silicon into silicon nitride.


Prof. Dr. G. Marx Technische Universität Chemnitz, Institut für Chemie D-09107 Chemnitz, Germany Fax: +49 0371 531 1371

Herrn Professor Dr.-Ing. Dieter Neuschütz zum 65. Geburtstag gewidmet


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Received: 2001-05-08
Published Online: 2022-01-13

© 2001 Carl Hanser Verlag, München

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