Volume 19, Issue 10

Paramagnetic resonance has been studied on the ions [Cr I dip 3 ] + , [V° dip 3 ] and [Ti -I dip 3 ] - in the polycrystalline state and in solution. The spectra arising from the odd isotopes gave g=1.9973 ± 0.0002 and |A| = (21.8 ± 0.5) gauss for Cr 53 ; g= 1.9831 ± 0.0002 and |A| = (83.5 ± 1.0) gauss for V 51 . The splitting constants of the additional HFS due to ligand N 14 nuclei were found to be | A N |= (3.05 ± 0.05) gauss and |A N | = (2.3 ± 0.1) gauss, respectively. For the titanium compound only the resonance due to the even-even isotopes was observed giving g=2.0074 ± 0.0002 . It is shown that the results for [Cr I dip 3 ] + and [V°dip 3 ] are consistent with an A 1 ground state with 5.47% and 1.09% 4s-admixture, respectively. Further, it is shown that the results suggest strong σ-bonding between metal 4s and ligand Σ 0 + orbitals increasing in the order Ti - , V 0 , Cr + . Two other possibilities to explain the observed HFS are ruled out.

CORIOLIS coupling coefficients for the planar symmetrical XY 3 molecular model are studied. One has found the upper limits |ζ 23 | → and ζ 3 →· 1 with increasing atomic mass ratio m Y /m X . Lower limits are also given, and appear to be functions of the force constants. Calculated ζ 23 and ζ 3 values for sixteen molecules (and radicals), and five ions of the considered type are reported. Curves are given for the mass-ratio dependence.

The elements of the CORIOLIS C α matrices of trigonal bipyramidal XY 3 Z 2 molecules are given. Relations between the CORIOLIS coupling coefficients are derived.

Es wurde festgestellt, daß zwischen der COULOMB-Energie der effektiven Atomladungen ε und der Bildungswärme ΔΗ Β einer Verbindung folgender direkter Zusammenhang besteht: (ε/z) 2 /d = ΔH B /z′ , wo d der Atomabstand, z die Zahl der vom Atom betätigten Valenzen und z′ die Zahl der Bindungen pro Molekül ist. Dieser Befund führt zu einer neuen, allgemein anwendbaren Bestimmungsmethode für die effektiven Atomladungen, da die Bildungswärmen der meisten Verbindungen bekannt sind. Ein Vergleich der auf diese Weise berechneten effektiven Atomladungen mit entsprechenden Werten anderer Methoden zeigt eine befriedigende Übereinstimmung.

The thermal emf of silver iodide has been measured between 190 and 510 °C using silver electrodes. The results can be described by the following equation 1 : -Ɛ = 0.722 ± 0.001-(0.407 ± 0.014) · 10 -3 · T m , ε is the SEEBECK coefficient in mV °C -1 and T m is the mean temperature of the salt column. The results are compared with earlier measurements.

Versetzungen in piezoelektrischen Kristallen sind auf Grund des Piezoeffekts im allgemeinen von elektrischen Potentialen umgeben. Diese besitzen unter der Voraussetzung elastischer Isotropie eine sehr einfache und allgemeine Gestalt: Für Stufenversetzungen, auf die sich die folgende Arbeit speziell bezieht, ergibt sich für beliebige Richtungen der Versetzungslinien (unter Ausschluß des Versetzungskerns) ein nur winkelabhängiges Potential der Form V = A 2 cos 2 φ + A 4 cos 4 φ, mit einer etwaigen zusätzlichen Phasenverschiebung in den Kosinusgliedern (A 2 , A 4 = const; r, φ: Polarkoordinaten in den Ebenen ⊥ zur Versetzungslinie). Nur für wenige Richtungen hoher Symmetrie verschwinden die Potentiale auf Grund der Kristallsymmetrie (A 2 = A 4 =0). Für piezoelektrische kubische Kristalle und hexagonale der Klasse C 6v werden diese Ausnahmerichtungen angegeben. Zu diesen Klassen gehören insbesondere die technisch wichtigen Kristalle mit Zinkblende- und Wurtzitstruktur. Für die Kristalle CdS, CdSe und ZnO (Wurtzitstruktur) werden für einige charakteristische Versetzungen auch die numerischen Werte der Potentiale berechnet. Sie sind so groß, daß vor allem bei tieferen Temperaturen ein beträchtlicher Einfluß auf elektronische und optische Prozesse im Kristall zu erwarten ist.

In ausgesprochenen Multimode-Lasern ist die spontane Emission pro Mode gegenüber der stimulierten Emission nicht vernachlässigbar klein. Der zusätzliche Inversionsabbau durch verstärkte spontane Emission führt zu einem gegenüber dem Einmoden-Laser veränderten Einschwingverhalten. Mit wachsender Modenzahl wird die Relaxationsschwingung zunehmend gedämpft. Je nach der Modenzahl kann die Dämpfung mit wachsender Pumpleistung oder Resonatorgüte zu- oder abnehmen. Das Einschwingverhalten kann durch eine einfache Modifikation der bekannten Bilanzgleichungen beschrieben werden. Wir geben numerische Lösungen und Näherungsgleichungen an. Die Ergebnisse der Rechnung werden durch Beobachtungen an Rubin-Multimode-Lasern in Form von totalreflektierenden Ringen bestätigt. Bei niedriger Pumprate ist der Einfluß der spontanen Emission auf das Einschwingverhalten auch in Einmode-Lasern nicht zu vernachlässigen. Hier beobachtet man eine verkürzte Dämpfungszeit in der Nähe der Schwellenergie.

Die Diffusion von Ca-45 in CaF 2 -Einkristallen wird im Temperaturbereich von 800 - 1250 °C nach drei Methoden gemessen. Es ergibt sich: D = 130 exp ( - 86500/R T) cm 2 sec -1 . Es werden Vergleiche angestellt zwischen Diffusionsvorgängen in den „Modellsubstanzen“ CaF 2 , KCl u. a. und denen in den keramischen Kernbrennstoffen UO 2 und UC.

The initial energy distribution functions of paraffin fragment ions originating from electron impact very often show two ion groups of different initial energy: a quasithermal group and a so called satellite group of high kinetic energy. An old hypothesis assumes the satellite ions as being due to the dissociation of a doubly charged ion into two singly charged ones (correlated ions). In terms of this hypothesis one has to postulate that correlated ions have equal momentum, that to every satellite ion the correlated one can be found (carbon balance), and that correlated ions have the same appearance potential which must be high enough to allow for double ionization. It is shown that the law of momentum conservation holds only approximately. This approximate fulfilment, however, seems too good to be accidental. The carbon balance has been investigated for propane and both butanes. In propane, satellite ions with one C-atom are correlated to satellite ions with two C-atoms; in butane the correlation exists between satellite ions with one and with three C-atoms. Only in propane the number of C 2 -satellite ions is rather close to the number of C 1 -satellite ions. In all three cases less satellite ions with the higher C-number are found than with the lower one. The probable explanation for this deficiency lies in the occurrence of secondary decomposition reactions of satellite ions via C-C bond cleavage. Together with the carbon balance the influence of the initial energy discrimination upon mass spectra is discussed. The appearance potential of CH 3 + propane ions of 2.5 eV initial energy was found to be (32.4 ± 1) eV. The ionization curve of C 2 H 4 + propane ions of ca. 1.2 eV initial energy aims at the same region. The uncertainty, however, is still too big to permit the quotation of a definite value for the appearance potential. Taking into account the initial energies of both correlated ions the CH 3+ satellite appearance potential in propane is at least 3 eV higher than necessary for a double ionization process.

Mit Hilfe eines Phasenfluorometers wurden die Lebensdauern τ einiger Elektronenzustände von N 2 , N 2 + , NH und PH bestimmt und folgende Ergebnisse erhalten: N 2 (C 3 Π u ) : τ = (2,7 ± 0,5) · 10 -8 sec; NH (c 1 Π) : τ = (4,3 ± 0,4) · 10 -7 sec; N 2 + (B 2 Σ u + ): τ = (4,5 ± 0,4) · 10 -8 sec; PH ( 3 Π) : τ = (4,4 ± 0,5) · 10 -7 sec. NH (A 3 Π) : τ = (4,6 ± 0,8) · 10 -7 sec; Damit ergeben sich die folgenden Oszillatorenstärken: N 2 (C 3 Π u ← B 3 Π g ) : f=0,063 ±0,012 NH (c 1 Π ← a 1 Δ) : ƒ=0,0036±0,0004 N 2 + (B 2 Σ u + ← X 2 Σ g + : ƒ=0,051 ±0,005 PH ( 3 Π ← 3 Σ - ) : ƒ=0,0078 ±0,0008 NH (A 3 Π ← X 3 Σ - ) : ƒ=0,0073 ± 0,0013 Die Meßanordnung wurde im Hinblick auf Untersuchungen von Zuständen chemisch instabiler Teilchen entwickelt. Die Anregung erfolgte durch Elektronenstoß.

Currently, in different types of high pressure arc the maximum temperature is limited by radial heat conduction. Heat conduction can be reduced by a magnetic field parallel to the axis of the arc. An experiment is described in which arc temperatures in the region of 10 5 °K have been reached. Typical conditions for the discharge in hydrogen are: current = 2000 amps, magnetic field = 10 kGauss, power input = 4 kW per cm arc length, pressure inside the arc = 0,1 atmosphere. - A similar experiment was made with helium.

Im Ultrahochvakuum aufgedampfte dünne Palladiumfilme werden bei 295°, 195°. 90° und 77 °K mit gemessenen Mengen n Wasserstoff oder Deuterium beladen und die hierdurch bewirkte Änderung des elektrischen Widerstandes R sowie der photoelektrischen Empfindlichkeit I/I 0 der Filmoberfläche verfolgt. Bei allen Temperaturen nimmt I/I 0 zu Anfang sehr stark ab. d. h. es bildet sich zuerst eine nach außen negative Adsorptionsschicht. R wird gleichzeitig erhöht. Noch vor der Ausbildung einer mono- a'omaren Adsorptionsschicht gewinnt ein zweiter Prozeß, der den Widerstand absinken läßt, das Übergewicht. Da I/I 0 hierdurch nicht mehr beeinflußt wird. dringt das Gas bei dem zweiten Prozeß in den Film ein. Es kann bei 295 °K durch Abpumpen unter Widerstandszunahme zum Teil wieder desorbiert werden. Bei 195 °K, 90 °K und 77 °K werden unter den angewandten Drucken (p < 10 -1 Torr), nachdem die Oberfläche besetzt ist, in einem dritten Prozeß wesentlich größere Gasmengen vom Palladium im Volumen aufgenommen. Dabei wächst R linear mit der aufgenommenen Gasmenge bis um 90% des Anfangswiderstandes. I/I 0 fällt nur sehr wenig ab. Bei Deuteriumaufnahme ist die Widerstandszunahme größer als bei Aufnahme von Wasserstoff. Bei 195°K zerfällt die entstandene β-Phase, wenn der Gasdruck unter 10 -4 Torr erniedrigt wird; die negative Adsorptionsschicht wird nicht desorbiert. Bei 90°K und 77°K ist die β-Phase auch bei Drucken unterhalb 10 -7 Torr beständig. Die Widerstandszunahme ist bei dem Atomverhältnis H/Pd bzw. D/Pd =1 beendet, die β-Phase also voll ausgebildet. Anschließend wird bis zu D/Pd bzw. H/Pd ≈ 1,8 weiteres Gas aufgenommen. das den Widerstand jedoch nur wenig absinken läßt und beim Abpumpen wieder abgegeben wird. Es ist anzunehmen, daß beim Aufbau der β-Phase bis H/Pd bzw. D/Pd =1 die D- bzw. Η-Atome in die Oktaederlücken des Palladiumgitters eingebaut werden. Da beim Atomverhältnis 0,6 in dem linearen Anstieg von R/R 0 vs Atomverhältnis keinerlei Besonderheit auftritt, ist nicht das Auffüllen der 4d-Lücken des Palladiumgitters, sondern die Störung des Leitungsmechanismus durch die eingebauten Fremdatome die Ursache der Widerstandszunahme bei der Aufnahme des Wasserstoffs bzw. Deuteriums bis zum Atomverhältnis eins. Die Bildung der β-Phase erfolgt von einzelnen Keimen aus, die bei weiterer Gasaufnahme wachsen. Nach dem Aufbau der β-Phase kann der Film zusätzlich Wasserstoff bzw. Deuterium aufnehmen; das zusätzlich aufgenommene Gas verursacht nur eine geringe Widerstands-Abnahme und kann wieder abgepumpt werden.

Mittels radioaktiver Tracer konnte gezeigt werden, daß Schwermetalle, die im Gemisch von konz. Flußsäure und rauchender Salpetersäure 1 : 1 enthalten sind, beim chemischen Polieren von Silicium auf dem Halbleiter niedergeschlagen werden. Je höher das elektrochemische Potential des betreffenden Metalles, desto größer ist auch die pro Flächeneinheit abgeschiedene Menge. Die Verteilung des Metalles auf der Siliciumoberfläche ließ sich im Fall des Silbers autoradiographisch sichtbar machen.

Das Durchlässigkeitsspektrum von Siliciumoxid-Aufdampfschichten wurde im Bereich von 0,4 bis 26 μm aufgenommen. Die Messung erfolgte nach dem Aufdampfen und nach verschiedenen Temperzeiten in Luft bei 350 °C und 600 °C. Aus der Veränderung der Spektren nach Temperaturbehandlung der Schichten ergeben sich Aussagen über den strukturellen Aufbau, die zum Verständnis des schlecht reproduzierbaren elektrischen Verhaltens beitragen. Im Anlieferungszustand sind die Sauerstoffatome tetraedrisch um Siliciumatome angeordnet. Zwischen diesen SiO 4 -Tetraedern ist das überschüssige Silicium in Form von Clustern und Fäden verteilt. Bei Temperaturbehandlung findet eine Verknüpfung der isolierten SiO 4 -Tetraeder statt, es bildet sich zunächst eine quarzglasähnliche Struktur aus, in deren Lücken noch restliches Silicium verteilt ist. Nach längeren Temperzeiten bei 600 °C wurde eine stabile kristalline Struktur erhalten.