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Lifetime Characteristic of Monocrystalline Silicon Layers in Dependence on Growth Parameters
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Kapitel in diesem Buch
- Frontmatter I
- Hinweise für die Autoren II
- Inhalt V
-
Originalbeitrage
- Crystal Structure of K2Cr2O7, and a Structural Aspect of its Morphology 441
- Zur Kinetik der Phasenumwandlung in unterkühlten Schmelzen 463
- Über den Mechanismus von Festkörperreaktionen in Silicaten 469
- Chemical Transport Reactions of Boron Monophosphide and Sulfur 487
- Preparation and Investigation of Epitaxial Layers of AlxGta^As solid Solutions and of Heterojunctions in the AlAs—GaAs system 495
- Durchmischung der Schmelze chemischer Verbindungen mit Hilfe ihrer flüchtigen Komponenten im Zonenschmelzprozeß 505
- Untersuchungen an Systemen aus Salzen und gemischten Lösungsmitteln V 511
- Lifetime Characteristic of Monocrystalline Silicon Layers in Dependence on Growth Parameters 527
- Absorptionsspektren natürlicher Granate im Bereich von 200 bis 1500 nm und ihre Bedeutung 537
- Anisotropy of Hardness of Calcium Fluoride Single Crystals 551
- Orientierungsänderungen von Eisen-Einkristallen beim Ziehvorgang 561
- Einfluß plastischer Verformungen auf die y/e-Umwandlung metastabiler austenitischer Stähle 575
- Berichtigung 587
-
Kurze Originalmitteiluagen
- Initial Stage of Epitaxial Growth in Thin Films 589
- Peculiarities of the Crystallization of Oriented Semiconductor Layers on Non-Orienting Substrates 597
- Lattice Dynamics and Epitaxial growth 603
-
BUCHBESPRECHUNG
- Grundzüge der anorganischen Kristallchemie 607
- Physikalisch-chemische Kristallographie 609
- Realstruktur und Eigenschaften von Reinststoffen 611
Kapitel in diesem Buch
- Frontmatter I
- Hinweise für die Autoren II
- Inhalt V
-
Originalbeitrage
- Crystal Structure of K2Cr2O7, and a Structural Aspect of its Morphology 441
- Zur Kinetik der Phasenumwandlung in unterkühlten Schmelzen 463
- Über den Mechanismus von Festkörperreaktionen in Silicaten 469
- Chemical Transport Reactions of Boron Monophosphide and Sulfur 487
- Preparation and Investigation of Epitaxial Layers of AlxGta^As solid Solutions and of Heterojunctions in the AlAs—GaAs system 495
- Durchmischung der Schmelze chemischer Verbindungen mit Hilfe ihrer flüchtigen Komponenten im Zonenschmelzprozeß 505
- Untersuchungen an Systemen aus Salzen und gemischten Lösungsmitteln V 511
- Lifetime Characteristic of Monocrystalline Silicon Layers in Dependence on Growth Parameters 527
- Absorptionsspektren natürlicher Granate im Bereich von 200 bis 1500 nm und ihre Bedeutung 537
- Anisotropy of Hardness of Calcium Fluoride Single Crystals 551
- Orientierungsänderungen von Eisen-Einkristallen beim Ziehvorgang 561
- Einfluß plastischer Verformungen auf die y/e-Umwandlung metastabiler austenitischer Stähle 575
- Berichtigung 587
-
Kurze Originalmitteiluagen
- Initial Stage of Epitaxial Growth in Thin Films 589
- Peculiarities of the Crystallization of Oriented Semiconductor Layers on Non-Orienting Substrates 597
- Lattice Dynamics and Epitaxial growth 603
-
BUCHBESPRECHUNG
- Grundzüge der anorganischen Kristallchemie 607
- Physikalisch-chemische Kristallographie 609
- Realstruktur und Eigenschaften von Reinststoffen 611