Effect of Substrate Orientation on Growth Rate and Doping Level of Vapour Grown GaAs. Interval (111)A—(100)—(111)B

Chapters in this book

1. Frontmatter 1
2. Hinweise für die Autoren 2
3. Inhalt 5
4. Originalbeiträge
5. Stability of Faceted Growth Forms From Melts and in the Presence of Impurities 7
6. Zum Mechanismus der Kristallisation von Na₂B₄O₇ aus eigener Schmelze 23
7. Influence of Supersaturation on the Kinetics of Crystallisation of ZnC₂O₄ • 2 H₂O 31
8. Effect of Substrate Orientation on Growth Rate and Doping Level of Vapour Grown GaAs. Interval (111)A—(100)—(111)B 37
9. Dynamic Crystallization of II—VI Compounds with a Gaseous Control of Vapour Concentrations 53
10. Preparation and some Properties of Synthetic Proustite Single Crystals 61
11. Single Crystal Synthesis and Properties of Lithium-Gallium-, Lithium-Alumininm-Oxide and Mixed Compounds (I) Growing of LiGaO₂-, LiAlO₂- and LiAl_xGa _1-x.Crystals from Fluxes 69
12. Wachstumsformen von tetragonalen Erdalkaliwolframaten in Schmelzlösungen und deren Deutung 81
13. The Change of the Lattice Constant in Heteroepitaxial Silver Films with Increase of Thickness 89
14. Impulsbelastung von NaCl- und LiF-Einkristallen mit durch Unterwasserdrahtexplosion erzeugten Stoßwellen 93
15. Kurze Orginalmitteilungen
16. Der Verteilungskoeffizient von Mangan bei der Kristallisation von Silberchlorid aus der Schmelze 103
17. Nachweis der Adsorption von Tensiden an Alkalihalogenid-Spaltflächen mit Hilfe der elektronenmikroskopischen Autoradiographie 107
18. Effect of Some Impurities on the Dissolution of NaHCO ₃ 111
19. Buchbesprechung
20. Plasma Effects in Semiconductors: Helicon and Alfvén Waves 115
21. Crystal Growth in Gels 117