Buch
Lizenziert
Nicht lizenziert
Erfordert eine Authentifizierung
Gapless Semiconductors, a New Class of Materials
-
I. M. Tsidilkovski
Sprache:
Deutsch
Veröffentlicht/Copyright:
1988
Fachgebiete
-
PDF downloadenÖffentlich zugänglich
Frontmatter
I -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
PREFACE
1 -
PDF downloadenÖffentlich zugänglich
CONTENTS
8 - CHAPTER 1 ELEMENTS OF THE BAND THEORY OF SEMICONDUCTORS
-
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
1.1. The Problem of the Electronic States in Solids
11 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
1.2. The Tight-Binding Approximation
12 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
1.3. The Nearly Free Electron Approximation
15 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
1.4. Effective Mass and-the Density of States
19 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
1.5.Impurity Levels. Statistics
23 - Chapter 2 BAND STRUCTURE OF GAPLESS SEMICONDUCTORS
-
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
2.1. The Detection of the Gapless State
29 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
2.2. Gray Tin
34 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
2.3. Mercury Chalcogenides HgTe and HgSe
46 - CHAPTER 3 IMPURITIES IN GAPLESS SEMICONDUCTORS
-
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.1. The Problem of Residual Electron Concentration
75 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.2. Impurities and Native Defects in Mercury Chalcogenides
79 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.3. Energy of Impurity States
81 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.4. Metal-Insulator Transitions
87 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.5. Mott Transition in n-Type Crystals
91 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.6. The Effect of Compensation on the Mott Transition
94 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.7. An "Anomaly" in the Temperature Dependence of Electron Concentration
99 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.8. Freeze-Out of Electrons into Acceptors under the Effect of a Magnetic Field and Pressure
102 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.9. Low-Temperature Peculiarities of Conductivity
107 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
3.10. Gapless Semiconductors Containing Magnetic Ions
116 - CONCLUSION
-
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
Practical Applications of Gapless Semiconductors
124 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
Some Results and Prospects
127 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
REFERENCES
131 -
PDF downloadenErfordert eine Authentifizierung Nicht lizenziertLizenziert
Backmatter
135
Informationen zur Veröffentlichung
Seiten und Bilder/Illustrationen im Buch
eBook veröffentlicht am:
22. August 2022
eBook ISBN:
9783112643143
Gebunden veröffentlicht am:
14. Januar 1989
Gebunden ISBN:
9783112643136
Auflage:
Reprint 2022
Seiten und Bilder/Illustrationen im Buch
Inhalt:
140
Weitere:
With 36 Figures
Schlagwörter für dieses Buch
Bandstruktur; Elektronenstruktur; Energiebänder; Festkörperphysik; Gapless-Semiconductors; Halbleiterbauelemente; Halbleiterphysik; Halbleitertechnologie; Materialtechnik; Materialwissenschaft; Quantenmechanik
Zielgruppe(n) für dieses Buch
College/higher education;
Sicherheits- und Produktressourcen
-
Herstellerinformationen:
Walter de Gruyter GmbH
Genthiner Straße 13
10785 Berlin
productsafety@degruyterbrill.com