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Volume 45, Number 2 February 16
Sprache:
Deutsch
Veröffentlicht/Copyright:
1978
Fachgebiete
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Frontmatter
I -
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Classification Scheme
II -
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Contents
369 -
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Systematic List
375 - Original Papers
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The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation
377 -
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Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization
387 -
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Strain Energy Controlled Shape of Crystals Forming Due to a Martensite Transformation or Decomposition
393 -
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On the Theory of Plastic Deformation with an Account of Dislocation Transformations of Several Types
403 -
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Electron Channeling in <111> Direction of Tungsten Crystals II. Energy Range of 1000 to 2000 keV2)
411 -
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Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys
419 -
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Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors
423 -
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Laser Induced Gratings in CdS
433 -
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α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2)
439 -
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Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis
445 -
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Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111]
453 -
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Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals
463 -
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On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2
469 -
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ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts
483 -
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Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments
493 -
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Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B
503 -
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Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon
509 -
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Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals
513 -
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p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum
521 -
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Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling
529 -
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Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2)
537 -
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The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors
543 -
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Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media
549 -
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A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2
553 -
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AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1
559 -
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Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium
565 -
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Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures
571 -
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Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers
579 -
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New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR
585 -
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Structure magnétique des MnCoSi
591 -
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ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect
599 -
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Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model
607 -
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The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile
617 -
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α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide
625 -
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Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias
631 -
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Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis
639 -
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Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms
647 -
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The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver
657 -
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Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films
665 -
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Schottky Barrier on W-GUAs Contact
671 -
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Figure
677 - Short Notes
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Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography
679 -
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Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed
683 -
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The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs
687 -
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Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals
691 -
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Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon
697 -
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Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy
701 -
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Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn
705 -
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Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures
709 -
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Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001)
713 -
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A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results
717 -
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A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's
721 -
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Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys
727 -
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On the Creep of Germanium and Silicon
731 -
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On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O
735 -
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Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds
741 -
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Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa
745 -
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Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films
751 -
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Positron Annihilation for Martensite Defect Identification
755 -
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Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films
759 -
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Channeling Studies of As-Grown GaN
763 -
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Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders
767 -
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Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs
771 -
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Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps
775 -
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Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron
779 -
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Pre-printed Titles
785
Informationen zur Veröffentlichung
Seiten und Bilder/Illustrationen im Buch
eBook veröffentlicht am:
22. November 2021
eBook ISBN:
9783112480724
Gebunden veröffentlicht am:
14. Januar 1979
Gebunden ISBN:
9783112480717
Ursprünglicher Verlag:
Akademie-Verlag Berlin
Auflage:
Reprint 2021
Seiten und Bilder/Illustrationen im Buch
Inhalt:
432
Zielgruppe(n) für dieses Buch
College/higher education;
Sicherheits- und Produktressourcen
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Herstellerinformationen:
Walter de Gruyter GmbH
Genthiner Straße 13
10785 Berlin
productsafety@degruyterbrill.com