TEM-Präparation mittels „low-voltage“-FIB
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Kurzfassung
Die Zielpräparation von elektronentransparenten Querschnitten wird in der Halbleiterindustrie in der Regel mit fokussierten Ga-Ionenstrahlen (FIB) durchgeführt. Es wird am Beispiel von Si und GaAs gezeigt, dass die Reduzierung der Beschleunigungsspannung der Ga-Ionen von 30 kV auf 2 kV „low voltage“ die Schädigung der Probenoberfläche durch die Bestrahlung vermindert bzw. beseitigt. Die stetige Verbesserung der Abbildungsleistung der Ionenquellen auch bei geringen Beschleunigungsspannungen macht die „low voltage“ Politur von elektronentransparenten TEM-Lamellen zu einer praktikablen Methode zur signifikanten Verminderung von Präparationsartefakten.
Abstract
The most common method used for target preparation of electron-transparent cross-sections in the field of semiconductor technology is the preparation by focused Ga+ ion beams (FIB). As shown in the example of Si and GaAs, specimen surface damages can be reduced by decreasing the acceleration voltage of the ion beam from 30 kV to 2 kV, the so-called “low voltage” mode. Caused by the continuous development, the imaging performance of ion sources has increased rapidly and allows good images even at low voltages. Therefore low voltage polishing of electron transparent TEM – lamellas becomes more and more a practicable method to reduce preparation artefacts.
Literatur/References
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© 2006, Carl Hanser Verlag, München
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