GaAs/AlGaAs-Quantenkaskaden-Laser (GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers)
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Abstract
Es wurden Quantenkaskaden-Laser für den 10-μm-Spektralbereich hergestellt. Zur Miniaturisierung, Verbesserung der Bauelementeigenschaften und Erzielung monomodiger Emission wurden Laser mit eindimensionalen photonischen Kristallstrukturen in Form von tiefgeätzten Bragg-Spiegeln entwickelt. Es wurde erstmals erfolgreich nahezu gitterangepasstes GaInNAs auf GaAs-Substraten bei 590 °C aufgewachsen, womit eine wesentliche Erhöhung des Ladungsträgereinschlusses ermöglicht wird.
Abstract
Quantum cascade lasers for the 10 μm spectral region were fabricated. With the goal of miniaturization, improvement of device properties, and single mode emission, we have developed lasers with one-dimensional photonic crystals by deeply etched Bragg-mirrors. For the first time nearly lattice matched GaInNAs was successfully grown on GaAs substrates at 590 °C, which allows an increase in the carrier confinement.
© Oldenbourg Verlag
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