Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity

Gerd Großkopf,; Reinhold Ludwig,

doi:10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

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Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity

Gerd Großkopf, and Reinhold Ludwig,

Published/Copyright: January 1, 1987

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From the journal Frequenz Volume 41 Issue 1-2

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Großkopf,, Gerd and Ludwig,, Reinhold. "Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity" Frequenz, vol. 41, no. 1-2, 1987, pp. 14-17. https://doi.org/10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

Großkopf,, G. & Ludwig,, R. (1987). Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity. Frequenz, 41(1-2), 14-17. https://doi.org/10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

Großkopf,, G. and Ludwig,, R. (1987) Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity. Frequenz, Vol. 41 (Issue 1-2), pp. 14-17. https://doi.org/10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

Großkopf,, Gerd and Ludwig,, Reinhold. "Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity" Frequenz 41, no. 1-2 (1987): 14-17. https://doi.org/10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

Großkopf, G, Ludwig, R. Gain Properties of Semiconductor Laser Amplifiers with Reduced Facet Reflectivity. Frequenz. 1987;41(1-2): 14-17. https://doi.org/10.1515/FREQ.1987.41.1-2.14

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Published Online: 1987-01

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